产品优势
高产率
晶圆尺寸 | 200mm Wafer(300mm 可选) |
晶圆厚度 | 0.1mm~5mm |
解析 | 2μm L/S |
线宽精度 | ±10% |
焦深 | 20μm |
正面套刻精度 | 0.5μm |
产能 | 150WPH |
成像材料 | 感光光阻(PR) |
光源频谱 | 365nm |
曝光能量 | 20至1000mj/cm²或更高 |
掩模 | 9 inch |
适用工艺 | 正面曝光、正面Alignment |
单机电源供应 | AC380V-50HZ(主设备) |
单机设备重量 | 6500kg |
外形尺寸(长×宽×高) | 主机:3100mmL×1750mmW×2750mmH 附属设备:1300mmL×880mmW×1650mmH |
温度/湿度 | 22℃±1℃, 30%-55% |