DPS-02

产品优势

高分辨率2μm/2μm(L/S)

产品优势

Die level 畸变和焦面
实时补偿

产品优势

套刻精度0.5µm

产品优势

活版图设计无掩膜尺寸限制,大视场MLA技术更高光刻效率

设备参数
晶圆尺寸 100/150/200/300mmWafer(可选)
解析 2μm L/S
线宽精度 ±10%
焦深 20μm
正面套刻精度 0.5μm
成像材料 感光光阻(PR)
光源频谱 405±5nm
产能 40WPH@12inch
曝光能量 20至1000mj/cm²或更高
光源总功率 6W
资料输入 GDSII, Gerber274X, ODB++
适用工艺 正面曝光、正面Alignment
单机电源供应 AC380V-50HZ-8KW(主设备)
单机设备重量 2000kg
外形尺寸(长×宽×高) 1810mmL×1700mmW×2105mmH
温度/湿度 22℃±1℃, 40%-60%(不结露)
Overlay补偿 固定Overlay、自动Overlay