产品优势
高分辨率2μm/2μm（L/S）
产品优势
Die level 畸变和焦面
实时补偿
产品优势
套刻精度0.25µm
产品优势
灵活版图设计无掩模尺寸限制
产品优势
高分辨率2μm/2μm（L/S）
产品优势
Die level 畸变和焦面
实时补偿
产品优势
套刻精度0.25µm
产品优势
灵活版图设计无掩模尺寸限制
| 晶圆尺寸 | 12inch Wafer |
| 解析 | 2μm L/S |
| 线宽精度 | ±10% |
| 焦深 | ±7.5μm |
| 套刻精度 | 0.25μm |
| 成像材料 | 感光光阻（PR） |
| 光源频谱 | 405±5nm |
| 产能 | 15WPH@12inch |
| 曝光能量 | 20至1000mj/cm²或更高 |
| 光源总功率 | 6W |
| 资料输入 | GDSII, Gerber274X, ODB++ |
| 适用工艺 | 正面曝光、正面Alignment |
| 单机电源供应 | AC380V-50HZ-8KW（主设备） |
| 单机设备重量 | 2000kg |
| 外形尺寸（长×宽×高） | 1810mmL×1700mmW×2105mmH |
| 温度/湿度 | 22℃±1℃， 40%-60%（不结露） |
| Overlay补偿 | 固定Overlay、自动Overlay |
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